С помощью источника электронного излучения (электронной пушки, ускорителя) на изделиях различной конфигурации получают очень тонкие покрытия (до 1 мкм) пз различных мономеров, в частности органосн-локсанов. Покрытия образуются в заполненной парами мономера вакуум-камере [разрежение 133 —1.3,3 мп./м'1 (10~3—10~4 мм ргп. ст.), энергия потока электронов 1 — '2 кэв, плотность тока не более 2 ма/см-].[4, С.11]
С помощью источника электронного излучения (электронной пушки, ускорителя) на изделиях различной конфигурации получают очень тонкие покрытия (до 1 мкм) из различных мономеров, в частности органосп-локсанов. Покрытия образуются в заполненной парами мономера вакуум-камере [разрежение 133—13,3 мн/м* (10~3—10~4 мм рт. ст.), энергия потока электронов 1—2 кэв, плотность тока не более 2 ма/см?].[6, С.9]
По геометрии дифракция электронного излучения аналогична дифракции рентгеновских лучей, описанной в разд. 28.3; при расчетах можно пользоваться уравнением Брэгга [уравнение (28.5)] и моделью обратной решетки.[2, С.135]
Сушка с помощью УФ-излучения и электронного излучения имеет ограниченное применение для материалов на основе р-ров ненасыщенных полиэфиров и др. олигомеров в реак-ционноспособных растворителях (мономерах). С помощью УФ-излучения можно отверждать только проницаемые для него материалы, напр, лаки, а также шпатлевки, содержащие соответствующие наполнители (микрослюду, бланфикс и др.). В состав материалов должен быть введен фотосенсибилизатор. Источниками излучения служат след, лампы: суперактиничные, люминесцентные, синего света, ртутные высокого и низкого давления. Продолжительность отверждения 1 —12 мин вместо 16—24 ч, необходимых в случае использования химич. инициатора и ускорителя сополи-меризацни.[6, С.10]
При действии ядерных излучений и электронного излучения большой энергии на полиакриловую кислоту и ее эфиры образуются поперечные связи [87, 999, 1000]. Скорость сольволиза сополимеров акриловой кислоты с n-нитрофенилметакрилатом зависит от состава сополимера до содержания последнего 9 мол. % [1001].[5, С.381]
Сушка с помощью У Ф - из л у ч еи и я и электронного излучения имеет ограниченное применение для материалов на основе р-ров ненасыщенных полиэфиров и др. олигомеров в реак-ционноспособных растворителях (мономерах). С помощью УФ-нзлучения можно отверждать только проницаемые для него материалы, напр, лакл, а также шпатлевки, содержащие соответствующие наполнители (микрослюду, бланфикс и др.). В состав материалов должен быть введен фотосенсибилизатор. Источниками излучения служат след, лампы: супсрактиничные, люминесцентные, синего света, ртутные высокого и низкого давления. Продолжительность отверждения 1 —12 мин вместо 16 — 24 ч, необходимых в случае использования хпмич. инициатора и ускорителя сополп-меризащш.[4, С.12]
В зависимости от свойств я-донора, характеристик электронного излучения и режимов последующих обработок получают негативный (полимеризацией я-донора) или позитивный (сублимацией не-полимеризующегося я-донора или его растворением слабополярным растворителем) микрорельеф. Рельеф имеет четкий край, разрешение лучше 1 мкм. Первоначальный слой—-электропроводящий, а полученные негативные структуры — диэлектрики. При экспонировании наблюдают потерю слоем окраски, что делает возможным визуальный контроль. Хлоридные комплексы проявляют чувствительность примерно в 5 раз большую, чем бромидные. Чувствительность может быть повышена уменьшением содержания галогена в слое. В этом случае на слой я-донора перед экспонированием наносят комплекс.[1, С.264]
Хираока [51] весьма подробно исследовал влияние коротковолнового (254 нм), v и электронного излучения на ПММА, поли-грег-бутилметакрилат, ПМАК и ее ангидрид ПМАА. Для ПММА он предложил следующий механизм деструкции:[1, С.232]
Новые методы получения покрытий и з адсорбированных на подложке мономеров под действием электронного излучения или тлеющего разряда позволяют получать тонкие покрытия без применения растворителей, обладающие хорошими дн-электрич. свойствами, высокой адгезией к подложке и химстойкостью. Покрытия можно получать на металлич. и неметаллич. подложках; на последние иногда предварительно наносят тонкий слой алюминия [~ 100 нм (— 1000А)] методом вакуумного напыления.[6, С.9]
В качестве позитивных электронорезистов, помимо фоторезистов, испытывались прежде всего полимеры, действие электронного излучения на которые было изучено ранее. В отличие от негативных резистов в этом случае в первую очередь были выбраны полимеры с высоким значением G(S) и минимальным или нулевым значением G(X). К изученным первым полимерам относятся ПМСТ, ПММА, ПБМА, ПФМА, ПИБ и некоторые другие. Ниже приведены параметры некоторых позитивных электронорезистов [76] :[1, С.255]
Новые методы получения покрытий из а д с о р б п-р о в а п п ы х и а п о д л о ж к е м о н о м е р о в иод действием электронного излучения или тлеющего разряда позволяют получать топкие покрытия без применения растворителей, обладающие хорошими ди-электрич. свойствами, высокой адгезией к подложке н хнмстойкостыо. Покрытия можно получать на металлич. и неметаллич. подложках; па последние иногда предварительно наносят тонкий слой алюминия [~ 100 им (— 1000А)] методом вакуумного напыления.[4, С.11]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.