Несмотря на то что в электронной литографии для достижения субмикронного разрешения используются апертуры меньшие, чем в оптической литографии, и достигается большая глубина резкости, в результате рассеяния электронов наблюдается расширение линий. Обычно используемая фокусировка пучка электронов до сечения радиусом 50 нм может привести к экспонированию участков с линейными размерами порядка нескольких микрометров (эффект близости). Кроме того, имеет место и отрицательное влияние накопления заряда диэлектриком (например, SiO2). Поскольку рассеяние и отражение электронов возрастает с ростом заряда ядра атомов элементов, входящих в состав подложки, влияние на эти величины Si и Se более ярко выражено, чем влияние органических материалов, состоящих только из углерода, водорода и кислорода, что и достигается в планаризационном слое.[1, С.270]
В двухслойной системе для электронной литографии в качестве чувствительного или планаризационного слоя используются сополимеры метилмета-крнлата с метакрнловой кислотой и двойное проявление. Сначала обрабатывают проявителем верхний слой резиста, причем проявитель составляют так, чтобы планарнзационный слой растворялся значительно медленнее и нарушалась только поверхность раздела фаз за счет набухания. Для достижения чувствительности по крайней мере 3-10~5 Кл/см2 необходимо использовать этот сополимер в качестве верхнего слоя. Затем проводят изотропное ПХТ планаризационного слоя, поэтому эта двухслойная система называется wet-etch ПМ [13; пат. США 4024293] (см. рнс. VIII. 1).[1, С.272]
В качестве позитивных резистов для электронной литографии исследованы также поли-а-алкенилкетоны, проявляющие чувствительность 3-Ю-6 Кл/см2 при 15 кВ [пат. ФРГ 2536299].[1, С.262]
Рнс. I. 18. Схема технологического цикла электронной литографии.[1, С.37]
В большинстве случаев резисты, созданные для электронной литографии, не удовлетворяют требованиям, предъявляемым к ре-зистам для рентгеновской литографии. В 1977 г. Тейлор описал [пат. США 4061829] хлор- и бромсо-держащие полимерные негативные ре- ю4 зисты для рентгеновской литографии. % Резисты такого типа проявляют хоро- ^/'[1, С.265]
Рис. I. 18 иллюстрирует главные элементы технологии электронной литографии и 'последовательность отдельных операций. Хотя большинство операций формально соответствует операциям при УФ-литографии, их необходимо осуществлять на качественно и количественно более высоком уровне. При использовании электронной литографии в технологическом процессов необходимо при-[1, С.36]
Для создания термостойкого резистного микрорельефа применяют однослойные и двухслойные композиции. В последнем случае на слое полиамидокислоты (которая может быть частично имиди-зована) посредством УФ- или электронной литографии создают рельеф, который переносят в нижний слой [пат. Великобритании[1, С.190]
Поскольку выбор материалов для однослойной системы существенно ограничен взаимоисключающими требованиями, дальнейшее улучшение чувствительности этих систем будет зависеть от создания новых материалов. Ограничение влияния стоячей волны при фотолитографии, эффекта близости в электронной литографии, косого профиля в рентгеновской литографии или малого пробега ионов в ионной литографии возможно только при использовании МСР [29]. Наиболее перспективными представляются двухслойные системы, хотя трехслойные системы и более универсальны, до сих пор неизвестно, будут ли высокие затраты на их создание окупаться стоимостью конечных изделий.[1, С.278]
Использование двухслойной системы для коротковолновой УФ-литографии основано на том, что позитивные резисты типа AZ-1350 сильно поглощают в коротковолновой области УФ-спектра и эта область может быть использована как рабочая для резист-иой маски на планаризационном слое ПММА [14]. Систему можно использовать и для электронной литографии [15]. Слой позитивного резиста сначала экспонируют пучком электронов, например, дозой З-Ю"6 Кл/см2 при 25 кВ или «обычным» УФ-светом, а после проявления экспонируют целиком коротковолновым УФ-излуче-нием. После сплошного экспонирования проявляют планаризацион-ный слой, на котором слой резиста AZ-1350 может быть сохранен или удален путем подбора проявителя (см. рис. VIII. 1,5,В). Это достигается при использовании в качестве проявителя соответственно толуола или метилизобутилкетона. Рекомендуется удалять возникший на границе фаз слой кислородной плазмой, особенно при экспонировании пучком электронов. Для снятия интерферен-[1, С.272]
Чувствительность ПММА к рентгеновскому излучению может быть увеличена по крайней мере на 3 порядка — до 10~3 Дж/см2, если проводить полимеризацию на подложке. Например, слой ПММА облучают малой дозой, вводят в контакт с парами мономера (акриловой кислоты) и получают после проявления хорошо разрешенный негативный рельеф, образованный новым сополимером. Аналогичный прием возможен и для электронной литографии [135].[1, С.266]
При изучении взаимной зависимости характеристик электронного луча и свойств резиста оказалось, что воспроизводимость профиля зависит от ошибок положения луча, его расфокусировки, наклона луча, уровня шумов [52]. С целью увеличения производительности сканирующей ЭЛУ исследованы возможности многолучевого сканирования в варианте с параллельной фокусировкой, но с индивидуальным бланкированием лучей [39]. Некоторые практические аспекты электронной литографии отражены в [53].[1, С.39]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.