Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) позволяет получить изображение микроскопической поверхностной области образца, причем возможно получение трехмерного изображения. СЭМ дает увеличение 20— 100000 раз (чаще всего 20000—50000). Разрешающая способность СЭМ несколько меньше ПЭМ н составляет 6 10 нм. Поскольку для СЭМ не требуется специально готовить образцы, этот метод находит все более широкое применение для изучения морфологии надмолекулярных образований кристаллических и аморфных полимеров.[1, С.86]
Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) обеспечивает получение изображения микроскопической области поверхности образца. Пучок электрона диаметром 5—10 нм сканирует по образцу. При взаимодействии пучка электронов с образцом наблюдаются:[3, С.110]
Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) обычно применяется для изучения топографии поверхности, которая изменяется при прививке на нее мономера. Кроме того, этот метод можно использовать для определения глубины прививки в матрицу. Если для прививки использована смесь мономеров, то изображения со сканирующего электронного микроскопа позволяют сравнить распределения привитых мономеров с микрофотографиями каждого привитого мономера в отдельности.[6, С.220]
Существует три основных метода: световая оптическая микроскопия, трансмиссионная электронная микроскопия (ТЭМ), растровая (или сканирующая) электронная микроскопия (РЭМ или СЭМ). Методы различаются сферами применения, определяемыми разрешением микроскопа. Разрешающая способность микроскопов ам определяется длиной волны излучения Л, показателем преломления среды между образцом и линзой ппр и углом приема линзы 9М:[2, С.353]
вторичных электронов (на использовании этих электронов основана сканирующая электронная микроскопия), но и рентгеновских лучей. Анализируя характеристические рентгеновские лучи, испускаемые тем или иным участком поверхности, можно определить ее локальный химический состав [278, 279]. В дальнейшем использовали принцип растровых приборов, развертывая электронный зонд по поверхности образца [280—282]. Мгновенная эмиссия рентгеновских лучей из точки соударения электронного луча с образцов анализируется по мере движения зонда по поверхности. В результате можно получить информацию о распределении данного элемента по поверхности. Одновременно можно использовать и вторичные электроны, и на экране другого кинескопа получить изображение структуры поверхности.[4, С.98]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.