Устройство электронных микроскопов. Большинство Э. и. выполняется с применением просвечивающих электронных микроскопов, в к-рых объект пронизывается электронами. Законы, по к-рым возникает изображение в электронном микроскопа, совпадают с законами световой оптики. Роль линз выполняют неоднородные электромагнитные поля, обладающие вращательной симметрией. Каждую электромагнитную линзу можно охарактеризовать фокусным расстоянием и главной плоскостью, как это принято в обычной геометр и ч. оптике.[8, С.474]
Устройство электронных микроскопов. Большинство Э. и. выполняется с применением просвечивающих электронных микроскопов, в к-рых объект пронизывается электронами. Законы, по к-рым возникает изображение в электронном микроскопе, совпадают с законами световой оптики. Роль линз выполняют неоднородные электромагнитные поля, обладающие вращательной симметрией. Каждую электромагнитную линзу можно охарактеризовать фокусным расстоянием и главной плоскостью, как это принято в обычной геометрич. оптике.[9, С.473]
Теоретич. предельное разрешение электронных микроскопов составляет примерно 0,2 нм (2 А). Основные ограничения в эту величину вносят дифракция, обусловленная конечной длиной дебройлевской волны электронов [при ускоряющем напряжении 100 кв эта величина равна 0,004 нм (0,04 А)], и сферич. аберрация электромагнитных линз. Разрешение лучших серийных микроскопов практически достигло теоретич. предела, что в принципе позволяет детально изучать тонкую структуру полимерных объектов. Однако разрешение, к-рое м. б. достигнуто при исследовании реальных объектов, отличается от разрешения самого прибора из-за несовершенства препаративных методов и радиационных повреждений и составляет 1,5—2,0 нм (15—20 А). Разрешение при использовании растровых микроскопов гораздо меньше: 3—5 нм (30—50 А).[8, С.475]
Теоретич. предельное разрешение электронных микроскопов составляет примерно 0,2 нм (2 А). Основные ограничения в эту величину вносят дифракция, обусловленная конечной длиной дебройлевской волны электронов [при ускоряющем напряжении 100 кв эта величина равна 0,004 ил» (0,04 А)], и сферич. аберрация электромагнитных линз. Разрешение лучших серийных микроскопов практически достигло теоретич. предела, что в принципе позволяет детально изучать тонкую структуру полимерных объектов. Однако разрешение, к-рое м. б. достигнуто при исследовании реальных объектов, отличается от разрешения самого прибора из-за несовершенства препаративных методов и радиационных повреждений и составляет 1,5—2,0 нм (15—20 А). Разрешение при использовании растровых микроскопов гораздо меньше: 3—5 нм (30—50 А).[9, С.474]
При ускоряющем напряжении, равном 100 кВ, которое типично для современных электронных микроскопов, длина волны Я «0,04 А. Однако практически разрешающая способность лучших современных электронных микроскопов на два порядка ниже и составляет 1—5 А. Серийно выпускаемые приборы обычно имеют разрешающую способность около б Аи увеличение 2-Ю5—2-10°. Изображение микрообъектов в электронном микроскопе рассматривается с помощью специального экрана, флюоресцирующего под действием электронов, или фотолрафируется. Обычно в электронном микроскопе изучают картину, получающуюся при прохождении электронов через тонкий слой (пленку) вещества.[5, С.52]
В отличие от просвечивающих, в осветительной системе растровых (сканирующих) электронных микроскопов формируется узкий сходящийся пучок электронов, диаметр поперечного сечения к-рого в точке падения на исследуемый препарат составляет несколько десятков А. С помощью специальных отклоняющих систем пучок можно заставить сканировать по поверхности образца подобно тому, как это осуществляется в телевизионной трубке. В растровом микроскопе диэлектрич. материалы непо-[8, С.474]
В отличие от просвечивающих, в осветительной системе растровых (сканирующих) электронных микроскопов формируется узкий сходящийся пучок электронов, диаметр поперечного сечения к-рого в точке падения на исследуемый препарат составляет несколько десятков А. С помощью специальных отклоняющих систем пучок можно заставить сканировать по поверхности образца подобно тому, как это осуществляется в телевизионной трубке. В растровом микроскопе диэлектрич. материалы непо-[9, С.473]
В большинстве случаев исследования дифракции полимеров проводят с использованием просвечивающих электронных микроскопов (разд. 27.2). Современные конструкции электронных микроскопов позволяют переходить от изображения к дифракции путем простой коммутации линз. Интерференционная картина, получающаяся в фокусной плоскости объектива, увеличивается и проектируется на экране (рис. 29.1).[3, С.135]
Большинство исследователей, к сожалению, к этому вопросу редко обращаются заново, хотя разрешающая способность электронных микроскопов достигла предела (2 А), а при препарировании возможно напылять бесструктурные конденсаты [12], использовать негативное контрастирование [9]; весьма совершенной стала техника микротомирования, вплоть до возможного получения срезов с замороженных препаратов и т. д.[7, С.88]
Широкие возможности изучения поверхностей появились с развитием растровой электронной микроскопии и появлением сканирующих электронных микроскопов [258, 259, 261—263]. Преимуществом сканирующих микроскопов при изучении поверхностей является то обстоятельство, что благодаря значительной глубине резкости (в несколько сот раз выше, чем у обычных микроскопов) удается достигнуть четкого изображения шероховатых и грубых поверхностей. В качестве примера на рис. III.3 (см. вклейку) приведена фотография [260] поверхности биологического объекта, выполненная с помощью сканирующего микроскопа.[6, С.97]
Электронная микроскопия как метод исследования в последнее время получила очень широкое распространение. Этому способствовало то обстоятельство, что полезное увеличение современных электронных микроскопов на два порядка превышает увеличение оптических микроскопов.[1, С.117]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.