Пленкообразование из растворов, протекающее за счет испарения растворителя, является сложным многостадийным процессом, который можно схематически представить следующим образом. Сначала в результате возрастания содержания полимера в слое раствора, прилегающем к поверхности испарения («воздушный» слой), в нем возникают конвекционные токи, стремящиеся вырав-нять концентрацию. В дальнейшем, по мере снижения доли растворителя и увеличения вязкости системы, интенсивность этих токов падает и при достижении определенной концентрации полимера происходит застудневание «воздушного» слоя, которое постепенно распространяется в глубь жидкой пленки. На второй стадии вследствие диффузии растворителя через слой студня с последующим испарением его возрастает число контактов между структурными элементами полимера, что сопровождается сокращением объема системы и уменьшением толщины пленки — контрактация.[4, С.506]
Скорость углубления поверхности испарения - § определяется по методике, основанной на анализе температурных кривых [530] и в общем виде может быть представлена уравнением регрессии:[3, С.520]
Связь между температурой адсорбента и парциальным давлением i-ro компонента на поверхности испарения определяется уравнением [534]:[3, С.521]
Инфракрасные спектры фосфора и его соединений измерил Кобридж [601]. С целью получения активного фосфора Рамтун и Странский [602] подвергли красный фосфор нейтронному облучению при нагревании до 600° в токе азота, после чего наблюдали испарение его в вакууме. Рассчитан приближенно ход кривой скорости испарения с понижением температуры поверхности испарения. Изучены условия окисления красного фосфора бромид-броматной смесью и периодатом калия и для этой реакции определен второй порядок [603, 604]. Разработаны методы анализа фосфора [478, 482].[8, С.416]
Отгонка не вступившего в реакцию фенола является одной из основных стадий технологического процесса получения яоволачных смол из фенола и уротропина. Для получения смолы с нормальным содержанием свободного фенола (1-5$) из реакционной смеси на стадии сушки необходимо удалить 20-25$ фенола. Продолжительность вакуумной дистилляции фенола в значительной мере определяется физическими факторами. Часть этих факторов (температура, соотношение объема и поверхности испарения, интенсивность перемешивания, глубина вакуума) зависят от типа применяемого оборудования, часть (вязкость реакционной массы, содержание свободного фенола и т.п.) -от состояния реакционной массы.[9, С.36]
Для освобождения продуктов поликонденсации от низкомолекулярных веществ можно пользоваться методом молекулярной перегонки, основанным на сближении .поверхностей испарения и конденсации настолько, что расстояние между ними не превышает длины свободного пробега молекулы. Одновременно увеличивают эту длину, применяя глубокий вакуум. В таких условиях молекулы отгоняющихся низкомолекулярных веществ будут беспрепятственно и без взаимных столкновений переходить с поверхности испарения на поверхность конденсации.[4, С.64]
теля и скорость его диффузии из нижних слоем;, соприкасающихся с подложкой, к поверхности испарения. Эти вопросы достаточно подробно обсуждены1"1. Полч> му здесь можно ограничиться лишь двумя замечаниями.[6, С.303]
* Сушка испарением' в атмосфере инертного газа, например воздуха, не полностью соответствует обычной дестилляции. Явление усложнено диффузией составных частей пара от поверхности испарения в окружающий газ, причем компоненты низкого молекулярного веса диффундируют быстрее, вследствие чего летучесть их ненормально высока.[5, С.327]
предложен также колонный реактор, верхняя часть которого предназначена для осуществления переэтерификации, а нижняя — для поликонденсации под вакуумом. В средней части колонны расплав разбрызгивается для увеличения поверхности испарения выделяющегося мономера, что представляет собой реализацию принципа, предложенного Фритче [23], но не осуществленного в промышленном масштабе вследствие малой эффективности такого способа удаления этиленгликоля.[2, С.161]
ных частиц tpuc. 152, г). В результате происходит их слипание, возникают коагуляционные, а затем конденсационные контакты с вытеснением воды из межглобулярного пространства, начинается и все больше усиливается диффузия макромолекулярных отрезков через поверхность раздела частиц, образуется монолитная пленка. При этом большое значение имеют капиллярные силы (при достаточном обезвоживании латексная пленка представляет собой ка> пиллярную систему), сжимающие стенки капилляра и выталкивающие воду из них в поверхности испарения, и, вероятно, еще осмотическое уплотнение, обусловленное проникновением паров воды через полимерные частицы.[4, С.508]
а) Способ выпаривания получил наиболее широкое применение. Он позволяет получить латекс, содержащий 60—80% каучука и обладающий большой устойчивостью. Для получения концентрированного латекса способом выпаривания применяется цилиндрический аппарат с двойными стенками, между которыми при работе аппарата циркулирует горячая вода с температурой около 70 °С. Внутри аппарата имеется свободно вращающийся вал небольшого диаметра, который перекатывается по стенке аппарата при его вращении и служит для перемешивания латекса, предотвращения вспенивания и увеличения общей поверхности испарения. Для стабилизации латекса до концентрирования к нему прибавляют защитные щелочные коллоиды.[1, С.27]
а) вначале жидкостное подтягивание влаги к поверхности испарения, постепенное углубление зоны испарения;[7, С.388]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.