На главную

Статья по теме: Увеличении расстояния

Предметная область: полимеры, синтетические волокна, каучук, резина

Скачать полный текст

При чрезмерном увеличении расстояния между выступами поверхности возникает исключительно большой точечный заряд, но ввиду его малой плотности результирующая напряженность электрического поля будет ниже, чем при равномерном распределении электрического заряда. Такой точечный заряд на поверхности диэлектрика с высоким электрическим сопротивлением может сохраняться очень долго, потому что[10, С.93]

Следует различать две стадии раздира образцов. На первой стадии при увеличении расстояния между зажимами происходит практически только деформация образца и отсутствует заметный рост надреза (с—с„—const,[3, С.225]

Для более подробного анализа необходимо установить относительное смещение плоскостей ВВ и СС. При увеличении расстояния между ВВ и СС можно ожидать внедрения аморфных цепей в зону между двумя плоскостями из других источников,[7, С.290]

Внешняя сила, действующая на одну частицу, равна dU/dx. Анализ выражений (8.2) и (8.1) показывает, что при увеличении расстояния между соседними частицами квазиупругая сила проходит через максимум, а затем обращается в ноль. Понятно, что разрыв кристалла при растяжении произойдет лишь в том случае, если внешняя сила, вызывающая растяжение, будет больше максимального значения Fm квазиупругой силы. Если внешняя сила меньше Fm, то разрыв невозможен, и происходит лишь растяжение. Очевидно, что в такой модели совершенно не учитывается тепловое движение частиц, из которых состоит кристаллическая решетка, и дефектность последней.[5, С.286]

Иначе происходит раздир образцов третьего и четвертого типов. На первой стадии наблюдается только деформация образца. При увеличении расстояния между зажимами напряжение увеличивается, и при некотором расстоянии 1=1К начинается рост надреза (вторая стадия раздира). Однако в отличие от образцов первых двух типов здесь рост надреза не носит катастрофического характера, а протекает с постоянной скоростью, зависящей от скорости движения зажимов. При росте надреза в образцах этого типа происходит растяжение все новых участков образца. Рост надреза на второй стадии происходит при напряжении в вершине надреза, равном критическому. Скорость роста надреза dcldt связана со скоростью движения зажимов dlldt соотношением:[3, С.226]

Приведенные данные согласуются с результатами по определению напряжения при вытягивании. В соответствии с уравнением Трутона '[уравнение (5.14)], большему градиенту скорости при малой длине вытягиваемого участка 0,4 м соответствует и большее напряжение (4,5 сН/текс). При увеличении расстояния между вытяжными дисками до 1,6 м напряжение снижается до 3,2 сН/текс, а затем, как и градиент скорости, практически остается постоянным.[2, С.237]

Однако фактический градиент скорости снижался в меньшей степени. Для его определения на разных участках между дисками определяли фактическую линейную плотность отдельных отрезков нити и строили график зависимости деформации от длины нити в зоне вытягивания (рис. 7.56). При расстоянии между вытяжными дисками 0,4 и 1,6 м деформация осуществляется на всем участке между дисками. Однако при дальнейшем увеличении расстояния между дисками до 6,0 м длина деформируемого участка[2, С.236]

Коэффициент диффузии можно определить путем измерения концентрационного градиента при различных временах (/), т. е. путем измерения скорости передвижения в начале резкой границы между растворителем и раствором. На рис. 8.4 приведена схема кюветы для получения экспериментальных данных. В нижнюю часть диффузной кюветы помещают полимерный раствор и отделяют его перегородкой от верхней части кюветы, где находится чистый растворитель. После удаления перегородки макромолекулы начинают диффундировать из нижнего слоя раствора в чистый растворитель, вследствие этого концентрация выше перегородки возрастает в той же степени, в какой ниже перегородки уменьшается. Градиент концентрации максимален вблизи границы; понижение его при увеличении расстояния вверх и вниз от границы[1, С.117]

где с17 с2, сп — некоторые коэффициенты. Физический смысл представления молекулярной орбиты в виде равенства (3) становится понятным из следующих соображений. Волновые функции атомных орбит быстро убывают при увеличении расстояния от ядра, поэтому в окрестностях ядра 1 поведение электрона в основном определяется атомной волновой функцией ф15 в окрестностях ядра 2 — волновой функцией ф2 и т. д. Каждый набор коэффициентов с1? . . . сп дает некоторую приближенную волновую функцию. Возникает вопрос, как выбрать наилучший набор коэффициентов в уравнении (3).[6, С.284]

б. Но в действительности наши цепи отталкивают друг друга, и g(r) должна отличаться от gD(r). Разница может быть описана в терминах потенциала [/(г), действующего на все мономеры. Поскольку плотность мономеров возрастает вблизи точки О, [/(г) должен быть велик в этой области. При увеличении расстояния г он должен уменьшаться и стремиться к постоянной величине [7^, характерной для основного объема растворителя. В дальнейшем обсуждении мы не будем учитывать иж, так как этот постоянный потенциал не приводит ни к каким интересным пространственным эффектам.[9, С.91]

где С/0 имеет смысл высоты потенциального барьера. Внутреннее вращение носит характер крутильных колебаний внутри потенциальных ям около положения минимума. Для этана UQ ~ 2,7 -г--т- 3,0 ккал/молъ. При замене атомов у тетраэдрического углерода, например при замене атома водорода на более массивные или полярные группы СН3, F, C1 (см. табл. 1.1), С/0 увеличивается до 12 ккал/молъ. При увеличении расстояния между тетраэдрическими атомами (увеличение расстояний между заместителями атомов углерода, связанных одинарной связью; замена связи С—С на Si—С) высота барьера понижается. Замена четырехвалентного атома углерода на двухвалентный атом кислорода также приводит к уменьшению высоты потенциального барьера (см. табл. 1.1).[8, С.15]

зация магнитной пары; однако имеется еще и остаточное магнитное силовое поле, легко демонстрируемое в обычном опыте с железными опилками, которые располагаются вдоль магнитных линий. Сила такого поля понижается очень быстро с увеличением расстояния от магнитной пары. Подобным же образом и в молекуле, хотя в целом она и не имеет ни отрицательного, ни положительного электрического заряда и распределение ее зарядов весьма различно, имеются электрические силовые поля. Это объясняет возможность существования в непосредственной близости от молекулы огромных притягательных сил, которые, вследствие их характера, должны сходить на-нет, достигая ничтожных значений, уже при относительно небольшом увеличении расстояния. Изменения в химическом строении молекулы не могут не вызывать изменений в Рис. 4.[4, С.21]

Полный текст статьи здесь



ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!!
Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Рабек Я.N. Экспериментальные методы в химии полимеров Ч.1, 1983, 385 с.
2. Серков А.Т. Вискозные волокна, 1980, 295 с.
3. Бартенев Г.М. Прочность и разрушение высокоэластических материалов, 1964, 388 с.
4. Льюис У.N. Химия коллоидных и аморфных веществ, 1948, 536 с.
5. Перепечко И.И. Введение в физику полимеров, 1978, 312 с.
6. Багдасарьян Х.С. Теория радикальной полимеризации, 1966, 300 с.
7. Манделькерн Л.N. Кристаллизация полимеров, 1966, 336 с.
8. Рафиков С.Р. Введение в физико - химию растворов полимеров, 1978, 328 с.
9. Жен П.N. Идеи скейлинга в физике полимеров, 1982, 368 с.
10. Лельчук В.А. Поверхностная обработка пластмасс, 1972, 184 с.

На главную