Анализ электронной дифракции полезен при изучении монокристаллов (их формы и совершенства), степени кристалличности, текстурированных и неориентированных поликристаллических структур, вытянутых и ориентированных полимеров.[3, С.137]
С помощью электронной дифракции и иных методов были исследованы самые различные простые соединения кремния**, особенно его галоидопроизводные. Были измерены расстояния Si—С, Si—Cl, Si—Br, Si—F, Si—Si, валентные углы Br—Si—Br, С1—Si—Cl, F—Si—F и Br—Si—F; результаты этих измерений приведены в табл. 16. Расстояние Si—Cl во всех исследованных[10, С.231]
В последние годы благодаря развитию экспериментальной техники, в первую очередь электронной микроскопии высокого разрешения и высокоразрешающих методов рентгеновской и электронной дифракции, стали возможными экспериментальные исследования структуры границ на атомном уровне. С помощью этих методов, а также ионной микроскопии получены убедительные доказательства справедливости кристаллогеометрических теорий для описания структуры границ. Эти выводы относятся как к межзе-ренным, так и к межфазным границам.[1, С.90]
Как более неблагоприятный вариант мы расцениваем ситуации, когда при заведомо различных типах ориентационного надмолекулярного порядка получаются одни и те же значения /•'. Поскольку наблюдать отдельные цепи в электронный микроскоп, даже при гарантии отсутствия артефактов, невозможно, и сканирование посредством локальной электронной дифракции тоже не решает проблему, можно было бы уповать на рассеяние нейтронов. Но тут снова возникают неприятности: усреднение ведется по всем меченым макромолекулам, опять-таки безотносителько к тому, находятся они в кристаллических или аморфных областях образца, а поэтому получающийся из этих измерений среднеквадратичный радиус инерции не дает нужной информации.[2, С.367]
Глава 29 АНАЛИЗ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ДИФРАКЦИИ[3, С.135]
ПРЕПАРИРОВАНИЕ ОБРАЗЦОВ ДЛЯ АНАЛИЗА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ДИФРАКЦИИ[3, С.136]
Оптимальной толщиной образцов для анализа методом электронной дифракции является несколько сотен ангстрем. В связи с этим необходимо использовать специальные методы препарирования образцов (разд. 27.3), в том числе отливку тонких пленок из растворов, осаждение мелких частиц из разбавленных растворов, измельчение, дробление блочного полимера, получение реплик с отдельных участков поверхности, межфазную поликонденсацию и пиролиз. Необходимо отметить, что при электронном облучении в полимере образуются свободные радикалы, которые могут приводить к деструкции и/или сшиванию цепей. При повышении напряжения, применяемого для ускорения электронов, радиация становится не столь эффективной. С побочными эффектами электрон-[3, С.136]
Таким образом, если взять какую-нибудь интерференцию, то для нее можно определить верхний предел среднего размыва, при котором она еще может существовать при данной длине волны. В случае, например, внутримолекулярной интерференции, присутствующей и на электронограммах, и на рентгенограммах гидратцеллюлозы с d = 4,6 А, для электронной дифракции при длине волны А, = 0,06 A ]/~u2 = ~ 0,4 А и для дифракции рентгеновских лучей с К = 1,54 A }^uz = 1,6 А. Таким образом, величины смещений для данного угла рассеяния лежат в пределах между ~0,4 и 1,6 А. Определение точного значения величин средних квадратичных смещений, при которых появляются те или иные интерференции, может иметь весьма существенное значение при интерпретации рентгенограмм высокополимеров, хотя и требует применения широкого интервала длин волн, что сопряжено со значительными экспериментальными трудностями. В то же время мы считаем, что исследование структуры полимера при различных длинах волн является совершенно необходимым для правильной интерпретации интерференционных картин.[4, С.49]
Анализ методом электронной дифракции 137[3, С.137]
Методом селективной электронной дифракции было показано, что кристаллографические ячейки в утолщенных частях находятся в хорошем регистре с прежними — сохраняется расположение всех кристаллографических осей. Отжиг многослойных кристаллов не сопровождается образованием пор [99, 100], и вместо прежнего кристалла возникает одна утолщенная ламель.[5, С.73]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.