Как и в общем случае полимеризации на гетерогенных катализаторах, активность окиснохромового катализатора А пропорциональна поверхностной концентрации центров роста N, работающей поверхности катализатора S и активности одного активного центра (или константе скорости роста кр): A~kpNS. В случае применения активных окиснохромовых катализаторов скорость полимеризации этилена, как правило, изменяется в ходе процесса, проходя через максимум, что связывается с изменением числа центров роста — образованием их в начальный период из активного компонента катализатора и последующей дезактивацией примесями. Максимальная скорость полимеризации пропорциональна концентрации мономера. Энергия активации реакции роста ~17 кдж/моль (~4 ккал/молъ). При изменении носителя kp возрастает в ряду[6, С.223]
Как и в общем случае полимеризации на гетерогенных катализаторах, активность окиснохромового катализатора А пропорциональна поверхностной концентрации центров роста N, работающей поверхности катализатора S и активности одного активного центра (или константе скорости роста кр): A~kpNS. В случае применения активных окиснохромовых катализаторов скорость полимеризации этилена, как правило, изменяется в ходе процесса, проходя через максимум, что связывается с изменением числа центров роста — образованием их в начальный период из активного компонента катализатора и последующей дезактивацией при-месями. Максимальная скорость полимеризации пропорциональна концентрации Мономера. Энергия активации реакции роста —17 кдж/молъ (~-4 ккал/молъ). При изменении носителя kp возрастает в ряду[8, С.221]
Экспериментальное подтверждение и количественное использование уравнения Гиббса трудно осуществимо [24] вследствие неточности определений поверхностной концентрации Г. Однако нет никаких сомнений в его качественной правильности, и во всех случаях, когда оно может быть применено, оно является ценным руководителем при характеристике адсорбции.[5, С.79]
Помимо этих скейлинговых модификаций существует и серьезное физическое ограничение проведенного обсуждения, а именно предположение, что притяжение стенки (измеряемое посредством к) не зависит от поверхностной концентрации. В действительности же первый слой начинает заполняться и эффективное значение к должно[7, С.290]
Поверхностная концентрация свободных радикалов в размолотых полимерах определялась рядом исследователей [20—23]. Как и ожидалось, подвижность цепей в разрушающемся материале сильно влияет на получаемые концентрации радикалов. Бекман и Деври [20—21] нарезали кусочки ПА-66, ПП и ПЭ в атмосфере азота, выдерживали их в течение менее 0,5 с в жидком азоте и определяли в них число свободных радикалов методом ЭПР. Температуру деградации материалов изменяли в интервале значений (—20) — ( + 90)°С. Авторы наблюдали резкое уменьшение поверхностной концентрации радикалов при соответствующих каждому материалу переходах стеклования (рис. 7.15). Следует упомянуть, что скорость спада образования радикалов также возрастает при превышении Тс, но при этом уменьшение числа радикалов меньше 30% [18]. С помощью значений концентраций радикалов в низкотемпературной области можно сделать вывод о том, что число разорванных цепей в средней плоскости разрушения составляет 5—10 % всех цепей, пересекающих эту плоскость. Пазони и др. [22] исследовали поливинилхлорид с различным содержанием пластификатора (30, 40, 50 и 60 % диоктилфталата (ДОФ) соответственно). Они установили, что нарезание при 30°С вызывает разрыв (128, 105, 55 и 34% соответственно от всего числа цепей, пересекающих плоскость разрушения). Они также[1, С.207]
Фоторезист наносят на центрифуге на пластины n-Si с р = ==50 Ом-см, экспонируют и проводят диффузию на воздухе при 1300 °С. В результате диффузии был получен р—n-переход, имеющий вольт-амперную характеристику, близкую к теоретической, и большое время жизни при поверхностной концентрации от 1018[3, С.199]
Таким образом, исходя из условий формирования электроноды-рочных переходов в полупроводниковых структурах, композиции фоторезистов-диффузантов могут быть основаны на соединениях, состоящих исключительно из атомов кислорода, азота, углерода и водорода, в которые должны быть включены нужные легирующие атомы, например, II, III, V, VIII групп, редкоземельных элементов и т. д. Первоначально заданное количество атомов легирующего элемента в композиции легко может быть сохранено в рисунке полимерного фоторельефа. Последний после защиты оксидом используется как источник диффузии для создания определенной поверхностной концентрации примеси нужной глубины залегания. Технология изготовления полупроводниковой структуры упрощается: сокращается число используемых материалов и операций, в частности, исключается наиболее критичная операция — травление [50].[3, С.197]
Равновесное определение привеса твердого полимера при действии на него паров или жидкости позволяет получить данные о поверхностной -концентрации диффузанта. При постоянном давлении пара (или концентрации в жидкой фазе) скорость достижения равновесия представляет собой прямую характеристику коэффициента диффузии.[4, С.231]
до 1020 атом/см3. Имеется возможность плавного регулирования поверхностной концентрации путем изменения концентрации диф-фузанта (полиэфиркарборанадипината) в фоторезисте. На основе фоторезистов-диффузантов удалось получить новые типы модуляторных тиристоров и диодов с достаточно высокими характеристиками [53].[3, С.200]
исследовали полиэтилен низкой и высокой плотности и получили значения для поверхностной концентрации радикалов 1,39-1015 и 1,17-1015 спин/см2, которые показывают, что разрываются соответственно 120 и 104 % цепей, пересекающих поверхность разрушения. Пазони и др. нарезали образцы в растворе дифинилпикрилгидразила в этаноле, изменение цвета которого использовалось для определения числа образовавшихся свободных радикалов. Необычно высокую долю разрывов молекул, приведенную Пазони и др., и расхождения их данных[1, С.208]
неодинаковы (например, п^Пц), то вызванное диффузионным торможением снижение поверхностной концентрации А снизит скорость основной реакции, т. е. селективность нарушится в пользу побочной реакции (более низкого порядка). Особенно «диффузионночувствительной» является последовательная реакция типа[2, С.87]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.