Численным методом итераций [7] можно получить такое распределение Li/L0, чтобы уравнение (7.2) описывало все экспериментальные точки (например, концентрации радикалов, приведенные на рис. 7.4). Распределение длин в«утрифибрил-лярных проходных сегментов, полученное в данном случае, показано на рис. 7.6; оно простирается от значения L/Lo = 1,06 до 1,18. Если бы некоторые экспериментальные значения концентрации радикалов были получены для случая разрыва довольно длинных межфибриллярных проходных сегментов, то их относительные длины должны были бы соответствовать распределению L/L0 = 0,97 (!) — 1,05. Так как данное распределение длин сегментов, по существу, соответствует высотам ступеней равновесных концентраций радикалов, то гистограмма высот этих ступенек служит характеристикой вероятного распределения длин сегментов, полученного без учета каких-либо предположений относительно природы проходных сегментов. На рис. 7.7[2, С.194]
Поверхностная концентрация свободных радикалов в размолотых полимерах определялась рядом исследователей [20—23]. Как и ожидалось, подвижность цепей в разрушающемся материале сильно влияет на получаемые концентрации радикалов. Бекман и Деври [20—21] нарезали кусочки ПА-66, ПП и ПЭ в атмосфере азота, выдерживали их в течение менее 0,5 с в жидком азоте и определяли в них число свободных радикалов методом ЭПР. Температуру деградации материалов изменяли в интервале значений (—20) — ( + 90)°С. Авторы наблюдали резкое уменьшение поверхностной концентрации радикалов при соответствующих каждому материалу переходах стеклования (рис. 7.15). Следует упомянуть, что скорость спада образования радикалов также возрастает при превышении Тс, но при этом уменьшение числа радикалов меньше 30% [18]. С помощью значений концентраций радикалов в низкотемпературной области можно сделать вывод о том, что число разорванных цепей в средней плоскости разрушения составляет 5—10 % всех цепей, пересекающих эту плоскость. Пазони и др. [22] исследовали поливинилхлорид с различным содержанием пластификатора (30, 40, 50 и 60 % диоктилфталата (ДОФ) соответственно). Они установили, что нарезание при 30°С вызывает разрыв (128, 105, 55 и 34% соответственно от всего числа цепей, пересекающих плоскость разрушения). Они также[2, С.207]
Постоянство концентраций радикалов М,, М2, М3 можно выразить как[1, С.248]
Раздельное определение величин q, Ях и kx/kp может быть осуществлено следующим образом. Заметим, что величины q и Ях можно выразить через отношение концентраций радикалов X и М. Согласно определению q и Ях имеем:[6, С.155]
Опубликована теоретическая работа, в которой обсуждается влияние первичных радикалов на реакцию об >ыва при радиационной полимеризации в растворе534. Из рассмотрения соотношения между скоростями полимеризации и образования первичных радикалов авторы делают вывод о том, что константа скорости рекомбинации растущих радикалов с первичными радикалами много больше, чем эта константа для двух растущих радикалов. Отношение [S']/[Af] (концентраций радикалов растворителя и концентраций растущих радикалов) пропорционально (1/Х—\)п; X — объемная доля мономера, п — постоянная величина.[10, С.75]
В спектрометре ЭПР исследуемый образец помещают в объемный резонатор, сверхвысокочастотные электромагнитные колебания в к-ром возбуждаются генератором. Резонатор настроен на частоту генератора и располагается между полюсами электромагнита, напряженность поля к-рого плавно изменяется в области резонансного значения Яр. Поглощение энергии сверхвысокочастотного магнитного ноля регистрируется либо на экране осциллографа, либо на самописце. Обычно записывается первая производная dl/dH, где / — интенсивность линии поглощения. Для определения концентраций радикалов при исследовании хим. процессов важно записывать интегральную функцию 1(11).[8, С.477]
В спектрометре ЭПР исследуемый образец помещают в объемный резонатор, сверхвысокочас;тотные электромагнитные колебания в к-ром возбуждаются генератором. Резонатор настроен на частоту генератора и располагается между полюсами электромагнита, напряженность поля к-рого плавно изменяется в области резонансного значения //р. Поглощение энергии сверхвысокочастотного магнитного поля регистрируется либо на экране осциллографа, либо на самописце. Обычно записывается первая производная dl/dH, где / — интенсивность линии поглощения. Для определения концентраций радикалов при исследовании хим. процессов важно записывать интегральную функцию 1(Н).[9, С.476]
Постоянство концентраций радикалов поддерживается при равенстве скоростей реакций:[1, С.249]
релаксации (Г i уменьшается с ростом локальной концентрации радикалов), значительная разница B^I Для радикалов, стабилизированных в поверхностном слое и в объеме, может указывать на более плотное размещение радикалов в поверхностном слое. Средние предельные концентрации радикалов, рассчитанные на 1 г полимера, при двух типах воздействия близки но при действии высокочастотного разряда их накопление происходит в значительно меньшем объеме, поэтому локальные концентрации радикалов в поверхностном слое значительно больше локальных концентраций радикалов, стабилизированных в объеме при облучении.[5, С.170]
различных температурах были измерены в различных областях концентраций радикалов.[7, С.459]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.