Статья по теме: Интегральной интенсивности

Предметная область: полимеры, синтетические волокна, каучук, резина

Скачать полный текст

Проведенные исследования [98] показали, что в процессе ИПД кручением в образцах Си формируется слабая аксиальная текстура. Таким образом, результаты РСА показывают, что при ИПД кручением чистой Си происходят существенные изменения вида рентгенограмм, получившие отражение в увеличении доли лорен-цевой компоненты в форме профилей рентгеновских пиков, их уширении и смещении, а также увеличении интегральной интенсивности диффузного фона рассеяния рентгеновских лучей. Это[2, С.39]

Интенсивность фона, наблюдаемого на рентгенограммах, является не только результатом диффузного рассеяния рентгеновских лучей на образце, но также связана с инструментальными факторами (например, с рассеянием дифрагировавшего излучения атмосферным воздухом) [141]. Бели инструментальные факторы одинаковы для исследуемых образцов, то появляется возможность сравнительного анализа роли самих образцов в формировании диффузного фона рассеяния на рентгенограммах. Интенсивность дифрагировавших рентгеновских лучей, зафиксированная на рентгенограмме, складывается из интенсивности рентгеновских пиков и интенсивности фона [130]. Для отделения интенсивности, связанной с фоном, в районе рентгеновских пиков, представленных псевдофункциями Фойгта, проводят базисные линии. Левая и правая точки каждой базисной линии соответствуют интенсивности фона слева и справа от рентгеновского пика. Для получения интегральной интенсивности фона площади под базисными линиями суммируют с площадями под линией фона вне рентгеновских пиков.[2, С.79]

Если же по каким-либо причинам невозможно получить пол-лостью аморфлый образец, кривую интенсивности на рентгенограмме частично кристаллического полимера разделяют на части, ^характеризующие рассеяние от аморфных и кристаллических областей. О степени кристалличности в этом случае можно судить по отношению интегральной интенсивности аморфного гало к суммар* uoft интенсивности кристаллических рефлексов (рис, 35). С]епень кристалличности полиэтилена пропорциональна отношению площади, ограниченной кристаллическими пиками, к площади, ограниченной кривой irirreHCffBHocrif агиорфЕгого гало.[1, С.114]

Рис. 1.25. Зависимость интегральной интенсивности фона на рентгенограммах Си, подвергнутой ИПД кручением, от числа оборотов[2, С.39]

Погрешность в вычислении интегральной интенсивности фона в основном зависит от правильности выбора базисных линий. Поскольку рентгеновские пики на рентгенограммах наноструктурной Си преимущественно описываются функцией Лоренца, т. е. имеют длинные хвосты, то оказалось очень трудно достаточно точно определить место, где кончается рентгеновский пик и начинается фон [79-82]. Для уменьшения погрешности базисные линии выбирали таким образом, чтобы их концы совпадали с концами широких интервалов углов дифракции, в которых производилась съемка рентгеновских пиков [79-82]. Как показано в работах [80, 81], ИПД Си приводит к росту интегральной интенсивности диффузного фона рассеяния рентгеновских лучей на 6 ± 3 %.[2, С.79]

Вопрос о возможных причинах уменьшения интегральной интенсивности малоугловых рефлексов / с вытяжкой был детально рассмотрен многими авторами [4, с. 528; 57, 120], и мы не будем его здесь подробно обсуждать. Скажем только, что одна из основных причин падения / заключается в выравнивании плотностей аморфных ра и кристаллических ркр участков микрофибрилл, причем предусматривается возможность как уменьшения ркр (из-за возрастания дефектности кристаллитов) (Fischer, см. [13, гл. 4]), так и увеличения ра (за счет увеличения числа проходных молекул или улучшения ориентации сегментов молекул в межкристаллитных аморфных прослойках) [4, с. 528—535; 120] Некоторое уменьшение / малоугловых рефлексов по мере увеличения вытяжки может происходить и за счет уменьшения поперечных размеров микрофибрилл D, а также изменения доли кристаллита в большом периоде (k = loo\/L). Однако наблюдаемые изменения D и k недостаточны, чтобы ими было бы можно объяснить столь значительное падение /,[8, С.223]

Неоднородный рост зерен, уменьшение микроискажений, неодновременное и резкое изменение интегральной интенсивности[2, С.134]

Осуществляется по перегибам или максимумам на температурных зависимостях оптической плотности, интегральной интенсивности и полуширины полос поглощения. Метод имеет среднюю чувствительность и хорошее разрешение по всем видам переходов. К релаксационным процессам наиболее чувствительны такие параметры, как интегральная интенсивность и полуширина полос поглощения, а фазовые кристаллизационные переходы хорошо разрешаются и количественно описываются по изменению оптической плотности [45]. Результаты ИК анализа хорошо коррелируют с данными динамических, диэлектрических и тепловых методов, однако метод не нашел широкого распространения ввиду сложности обработки результатов и аппаратурного оформления.[3, С.234]

Холодная прокатка наноструктурной Си, полученной РКУ-прес-сованием, приводит к возрастанию величины интегральной интенсивности диффузного фона рассеяния рентгеновских лучей на 4,9 % по сравнению с состоянием до прокатки [98]. Одновременно в результате холодной прокатки происходит увеличение размера зерен в направлении (200) и уменьшение величины микроискажений кристаллической решетки в этом направлении (табл. 3.1).[2, С.150]

Инфракрасная спектроскопия (ИКС) позволяет выявить температурные переходы в полимерах по перегибам или максимумам на температурных зависимостях оптической плотности, интегральной интенсивности и полуширины полос поглощения. Метод имеет среднюю чувствительность и хорошее разрешение ко всем видам переходов. К релаксационным процессам наиболее чувствительны первые два показателя, тогда как фазовые переходы хорошо разрешаются и количественно описываются по изменению оптической плотности. Результаты ИКС анализа коррелируют с данными динамических, диэлектрических и тепловых методов, однако этот метод не получил широкого распространения ввиду сложности обработки результатов.[3, С.377]

Мутность т за счет флуктуации концентраций растворенного вещества находится как разность между общей мутностью раствора и мутностью чистого растворителя. Мутность может быть представлена как отношение интегральной интенсивности рассеяния площадью поверхности сферы с радиусом г, окружающей источник рассеяния, к интенсивности первичного пучка света[7, С.83]

... отрезано, скачайте архив с полным текстом ! Полный текст статьи здесь