Спин-решеточная релаксация препятствует установлению насыщения. Если же вероятность перехода настолько мала, что выполняется условие Wравновесное распределение (8.5) и формула (8.6) будет справедлива не только в начальный, но и в любой другой момент времени. Ввиду того что W пропорционально Hi2, пригодность формулы (8.6) означает введение соответствующего ограничения, накладываемого на значение переменного поля HI (оно должно быть достаточно малым).[2, С.213]
Спин-решеточная релаксация наблюдается наиболее отчетливо, когда частота тепловых колебаний сравнима с частотой ЯМР. В стеклообразном состоянии время спин-решеточной релаксации Т2 не зависит от температуры. В высокоэластическом состоянии Т2 линейно возрастает с повышением температуры, и тем сильнее, чем выше молекулярная подвижность. Если измерения проводят на фиксированной частоте в достаточно широком интервале температур, то оказывается, что время спин-решеточной релаксации проходит через минимум, который для каждого релаксационного процесса наблюдается при впол-[4, С.383]
Спин-решеточная релаксация зеемановской и дипольной подсистем обусловлена переходами спинов между энергетическими уровнями во внешнем или в локальных полях, при которых излучаемая энергия поглощается решеткой. Для того, чтобы такие стимулированные переходы возникали, в спектре частот флуктуирующего локального поля должны присутствовать гармоники, удовлетворяющие условиям резонанса в соответствующих полях:[5, С.254]
Данное название обусловлено тем^ что в твердом теле (кристалле) тепловое движение представляет собой колебания кристаллической решетки, однако оно регистрируется во всех случаях установления теплового равновесия между спиновой системой и модами движения, связанными с остальными степенями свободы тела. ..-'.. Спин-решеточная релаксация препятствует установлению насыщения, когда поглощения энергии не происходит. Магнитные моменты соседних ядер, а также другие магнитные моменты, которые могут быть в образце, создают вокруг себя магнитные поля, в результате чего каждое а ядро находится в своем локальном поле Я, несколько отличном от Я0. В перемен--ном поле с частотой v поглощение энергии определяется соотношением[1, С.269]
Складчатые структуры 31 Сополимеры статистические 49, 51 Спектр внутреннего трения 129, 135 Спин-решеточная релаксация 213[2, С.390]
Двойное облучение при сигнале НА приводит к поглощению и испусканию для НА- В результате этого через флуктуирующие магнитные векторы возбуждается релаксационный механизм протона Нв. Спин-решеточная релаксация протона Нв ускоряется, способствуя увеличению интенсивности ЯМР-сигнала Нв на 10—50%.[6, С.329]
До сих пор рассматривался случай, когда радиочастотное поле HI действует на образец непрерывно. В этих экспериментах достигается стационарное состояние, когда взаимно скомпенсированы два процесса. С одной стороны, под действием поля Н\ количества ядер на уровнях стремятся вырав-няться. С другой стороны, спин-решеточная релаксация вследствие теплового движения восстанавливает больцмановское распределение, в Совершенно иные процессы наблю-[3, С.224]
Сведения об изменении молекулярной подвижности в граничных слоях полимеров могут быть получены также с применением метода ядерного магнитного резонанса. Имеются многочисленные данные [230], показывающие, что исследования релаксационных процессов в полимерах, проведенные методами диэлектрической релаксации или ЯМР, дают в общем аналогичные результаты. В ряде наших работ на объектах, уже рассмотренных выше, была исследована спин-решеточная релаксация протонов в полимерах и олигомерах, находящихся на поверхностях частиц наполнителей [215—218]. Для примера рассмотрим данные о температурной зависимости времени спин-решеточной релаксации Т\ для полистирола и образцов, содержащих аэросил и фторопласт-4 (рис. III. 27). Наблюдаются две области релаксации — высокотемпературная и низкотемпературная. Для высокотемпературной области минимум Т\ смещается в сторону высоких температур по мере уменьшения толщины поверхностного слоя, и сдвиг достигает 20 °С. В то же время низкотемпературный процесс смещается в сторону низких температур. Для ряда исследованных систем были установлены[7, С.129]
Процесс передачи ядром части энергии своему окружению посредством безызлучательного перехода называется спин-решеточной релаксацией. При действии на полимер внешнего магнитного поля ориентация спинов определяется поляризацией магнитных моментов ядер, тогда как тепловое движение атомов очень слабо влияет на порядок в расположении спинов. Если приложить магнитное поле к полимерной среде, а затем убрать его, то начинается спад магнитной поляризации ядер, обусловленный их тепловым движением. Явление спин-решеточной релаксации представляет собой спонтанный спад магнитной поляризации в отсутствие внешнего поля, обусловленный тепловым движением. Время спин-решеточной релаксации TI - это время, в течение которого разность между действительной заселенностью какого-либо уровня и его равновесным значением уменьшается в е раз. Спин-решеточная релаксация наблюдается наиболее отчетливо, когда частота тепловых колебаний сравнима с частотой ЯМР. Если измерения проводят на фиксированной частоте в достаточно широком интервале температур, то оказывается, что время спин-решеточной релаксации проходит через минимум, который для каждого релаксационного процесса в полимере наблюдается при определенной температуре.[4, С.254]
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА СТУДЕНТАМ!!! Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Кепе, Диевского. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
А также: Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и задачника Мещерского. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников, а также решебнки: Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна. Решение любых задач по физике и гидравлике на сайте fiziks.ru
Что самое приятное на любом из этих сайтов Вы можете заказать решение задач по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, материаловедение, ТКМ и другие.