Статья по теме: Рассеяния электронов

Предметная область: полимеры, синтетические волокна, каучук, резина

Скачать полный текст

Дальний координационный порядок, характерный для кристаллических образцов, можно изучать различными методами, например методом рассеяния электронов, упругих нейтронов или рентгеновских лучей. Основным условием применимости методов рассеяния для структурного анализа является использование излучения такой длины волны, которая не превышает размеров исследуемой структуры. Форма и интенсивность дифракционной картины дают информацию о кристаллической решетке и распределении молекул внутри элементарной ячейки. Интенсивность /(s), рассеиваемая периодической структурой, может быть представлена уравнением[3, С.20]

Ускоренные ионы, например Ga3+, Be2+, In3+, Sn2+ и др. [63, 64], при прохождении через вещество могут вызвать химические реакции подобно ускоренным электронам. Однако, поскольку рассеяние ионов (с энергией 1—3 МэВ) существенно меньше рассеяния электронов, существует возможность при помощи ионной литографии достигать высоких степеней разрешения [65]. Фокусированный пучок ионов можно сканировать подобно потоку электронов, что может быть использовано для непосредственного образования структур с высокой плотностью элементов в разных полимерных материалах, например в ПММА [63]. Разрешение определяется рассеянием ионов и возникающих вторичных электронов.[1, С.43]

Для получения надежных статистических результатов при использовании метода Монте-Карло необходимо рассчитать траектории нескольких тысяч электронов, что требует большого машинного времени. По этой причине на практике для предсказания рассеяния электронов используют аналитические модели, в которых предполагается, что потеря энергии в результате рассеяния складывается из трех составляющих: рассеяния под малым углом (РМУ) из пучка в полимере, рассеяния под большим углом (РБУ) в подложке и обратного отражения (ОО) в полимере. Для определения РМУ в резисте используют две аналитические модели. Гринейх и Ван Дузер [10] построили свою модель на основе теории рассеяния Ленца, по которой угловое распределение рассеянных электронов определяется интегрированием уравнения Больцмана по у всему пространству. В упрощенном подходе используют[1, С.217]

С целью уменьшения эффекта обратного рассеяния электронов и повышения разрешающей способности разработана теоретиче-[1, С.220]

Ввиду несоответствия экспериментальных и теоретических данных для рассеяния электронов молекулами триацетатцеллюлозы была принята измененная модель этой молекулы, а именно было предположено, что плоскости глюкозных остатков повернуты друг к другу под углом 90°. На рис. 4 изображены кривые интенсивности молекулярного рассеяния от такой модели молекулы. Кривая а соответствует рассеянию от молекул целлюлозы (с углом поворота между глюкозными кольцами 90°), а б — рассеянию от молекул триацетатцеллюлозы. Сравнение экспериментальных и теоретических[4, С.45]

Эта работа показала, что вся интерференционная картина описывается как картина рассеяния электронов на целлобиозпых остатках. Таким образом, постоянно и строго соблюдающимися расстояниями являются лишь расстояния между атомами в молекуле, но не между цепями целлюлозы.[4, С.35]

Полихлорметилстирол с Мда = 3-105, применяемый в качестве негативного резиста, позволяет достичь высокого разрешения из-за малого рассеяния электронов, а также равномерного распределения поглощенной энергии по глубине. Его термостойкость и стойкость к сухому травлению на уровне соответствующих характеристик позитивных новолачных фоторезистов AZ. Постэкспозиционное фотоотверждение резко уменьшает уход размеров рельефа вплоть до 300 °С. Свойства резиста сопоставимы со свойствами хлормети-лированного полистирола [136].[1, С.266]

Позднее Каргин и Лейпунская [24] получили электронограммы гидрат-целлюлозы с тремя диффузными кольцами. Произведенный теоретический расчет рассеяния электронов на молекулах целлюлозы * дал вычисленную[4, С.34]

Несмотря на то что в электронной литографии для достижения субмикронного разрешения используются апертуры меньшие, чем в оптической литографии, и достигается большая глубина резкости, в результате рассеяния электронов наблюдается расширение линий. Обычно используемая фокусировка пучка электронов до сечения радиусом 50 нм может привести к экспонированию участков с линейными размерами порядка нескольких микрометров (эффект близости). Кроме того, имеет место и отрицательное влияние накопления заряда диэлектриком (например, SiO2). Поскольку рассеяние и отражение электронов возрастает с ростом заряда ядра атомов элементов, входящих в состав подложки, влияние на эти величины Si и Se более ярко выражено, чем влияние органических материалов, состоящих только из углерода, водорода и кислорода, что и достигается в планаризационном слое.[1, С.270]

В статьях 1957-58 гг. П.Х. Тилл [1], сотрудник фирмы Du Pont, А. Келлер [2] из Университета Бристоля, и Е. В. Фишер [3] из Университета Майнца описали монокристаллы, полученные из разбавленных растворов линейных полиэтиле-нов. Толщина ламелей составляла около 100 А, что соответствовало приблизительно 40 метиленовым (-СН2-) группам. Методом рассеяния электронов было показано, что полиэтиленовые монокристаллы обладали орторомбической структурой элементарных ячеек, предложенной в работах Бунна, а цепи располагались в направлении, перпендикулярном поверхностям ламелей (рис. 4.1).[6, С.82]

В последнее время для изучения полимеров успешно применяют метод низковольтной электронной микроскопии [51]. Применение электронов низких энергий (до 2—ЮкэВ) по сравнению с обычными (60—100 кэВ) позволяет повысить контраст снимков в несколько раз. Поэтому, если на последних в обычном микроскопе периодичность нельзя было заметить (что, в общем, и естественно), то на низковольтных снимках уже можно было заметить эту периодичность и определить значение большого периода (100—200 А), которое совпадало с таковым, определенным по методу малоуглового рассеяния электронов.[5, С.104]

... отрезано, скачайте архив с полным текстом ! Полный текст статьи здесь