Статья по теме: Свободных электронов

Предметная область: полимеры, синтетические волокна, каучук, резина

Скачать полный текст

ЭПР свободных электронов связан с парамагнетизмом их спинов. По этой причине его также называют электронным спиновым резонансом (ЭСР). Электроны на полностью заполненных молекулярных орбиталях вообще не вносят вклад в магнитный момент, поскольку, согласно принципу Паули, спаренные спины компенсируют друг друга. Если, однако, связь разорвана вследствие гемолитического разрыва, то образуются свободные радикалы с неспаренными электронными спинами, которые и детектируются. Свободный электрон обладает магнитным моментом ц, равным[1, С.157]

В равновесном состоянии заселенность обоих энергетических уровней определяется статистическим распределением Больц-мана, согласно которому большая часть свободных электронов обычно находится в «основном состоянии», соответствующем т = — 7з- Однако под действием электромагнитной (сверхвысокочастотной) энергии соответствующей частоты v электрон может «перескочить» на более высокий уровень, соответствующий т = +1/2- Условие резонанса выполняется, если энергия hv равна разности энергий между двумя уровнями:[1, С.157]

В ионных К., характеризующихся полным переносом заряда, расстояния между компонентами определяются силами Кулона. Это термически наиболее устойчивые вещества, нек-рые из них выдерживают нагревание до 200—250° С. В таких К. реализуется основное парамагнитное состояние; a—10~10— 10~2 сим/м. В нек-рых случаях парамагнетизм ионных К. может быть обусловлен газом свободных электронов. Такие системы обладают максимальными значениями а—1-104 сим/м при ?,= 0,03—0,2 эв.[9, С.544]

В ионных К., характеризующихся полным переносом заряда, расстояния между компонентами определяются силами Кулона. Это термически наиболее устойчивые вещества, нек-рые из них выдерживают нагревание до 200—250° С. В таких К, реализуется основное парамагнитное состояние; с=10-10— 10~2 сим/м. В нек-рых случаях парамагнетизм ионных К. может быть обусловлен газом свободных электронов. Такие системы обладают максимальными значениями ст=1-104 сим/м при ?,=0,03—0,2 эв.[11, С.541]

Дальнейшее развитие эта теория получила в модели автора работ [231, 232], который изучал продукты реакции на межфазной поверхности, состоящие, согласно его данным, главным образом из CuxS, при X равном 1,8-2,0. Первой стадией при возникновении адгезии является образование CuxS. Этот слой может увеличиваться за счет катионной диффузии, то есть переноса ионов металла и свободных электронов через сульфидный слой. На границы поверхности "сера-сульфид" происходит реакция:[4, С.223]

В теории систем многих частиц приближение Хартри обычно можно дополнить приложением методов самосогласования не только к одночастичной концентрации с(г), но и к двухчастичным свойствам, таким, как парные корреляции g(r t ; г 2), которые мы часто обсуждаем. Это соответствует "приближению случайных фаз" (ПСФ), введенному Бомом, Пайнсом и Нозьером [4]. В электронных системах ПСФ полезно главным образом для почта свободных электронов. Аналогично в наших системах цепей ПСФ будет эффективно для почта идеальных цепей, т.е. в расплавах. Соответствующие эксперименты, как правило, основаны на нейтронном рассеянии на меченых молекулах и коротко суммированы в гл. 2.[10, С.276]

Действие сил растяжения вдоль оси молекулярной связи Ri—Кг проявляется в ослаблении кажущейся энергии ее образования и, таким образом, способствует увеличению вероятности разрыва связи. Если ослабление кажущейся энергии связи существенно, то механическое воздействие можно считать основной причиной деструкции цепи. Поскольку разрыв цепной молекулы сопровождается образованием органических радикалов, а последующее появление неспаренных свободных электронов регулируется механическими силами, то изучение процесса образования радикалов и их реакций дает необходимую с точки зрения молекулярной теории информацию относительно сил, действующих на цепь. Исследования свободных радикалов методом парамагнитного резонанса усиленно развивались в течение последних 30 лет [1, 2]. С тех пор данный метод успешно применялся для объяснения механизма образования свободных радикалов в химических реакциях и под действием облучения видимым и ультрафиолетовым светом, рентгеновским и ^-излу-чением и облучением частицами [1, 3). Дополнительно изучались величина фактора спектроскопического расщепления g, магнитное окружение неспаренного спина свободных электронов и структура свободного радикала. Во всех этих случаях спин свободного электрона действует как зонд, который, по крайней мере временно, присоединяется к определенной молекуле, принимает участие в ее движении и взаимодействует с окружающим магнитным полем.[1, С.156]

Электропроводность к - величина, обратная электрическому сопротивлению, - характеризует способность материала проводить электрический ток. Для ненаполненных полимеров, в том числе эластомеров, значения к = dl /dE3 (где / - сила тока, Еэ - напряженность приложенного электрического поля) весьма малы и близки к значениям к для диэлектриков [30]. Наряду со способностью к поляризации в электрическом поле это свидетельствует о принадлежности полимеров к классу диэлектриков, т.е. об отсутствии у них свободных электронов. В последние годы для создания полимерных изделий, обладающих высокой проводимостью и выполняющих роль полупроводников, нашли широкое применение материалы, способные длительно сохранять заряд на поверхности после электризации, так называемые электреты.[3, С.551]

Разработана [37] система, позволяющая исходя из структуры и масс-спектра низкого разрешения органического соединения выявить его реакции фрагментации и перегруппировки. С этой целью все реакции в масс-спектрометре представляют как процессы переноса электронов, а ионы рассматривают как структуры, связанные валентными связями. Составлена таблица элементарных процессов: а -разрыв, индуктивный разрыв, реакция замещения, Н перегруппировка, элиминирование и др, После ионизации данной структуры (для всех возможных пар свободных электронов и я -орбиталей) рассматривают все возможные первичные ионы и их реакции, приводящие к образованию вторичных ионов. На основании сопоставления всех пиков в масс-спектре и совокупности возможных реакций оценивают доверительную вероятность протекания каждого процесса.[3, С.141]

Системы, содержащие неспаренные электроны, будучи помещены в магнитное поле напряженностью Я, могут поглощать энергию электромагнитных волн. В случае свободного электрона наложение магнитного поля создает два различных энергетических уровня, которые может занимать электрон. Образование двух энергетических уровней в магнитном поле, т. е. эффект Зеемана, является результатом наличия магнитного момента у электрона, который вследствие условий квантования может быть либо параллелен, либо антипараллелен полю. Разность энергий hv между уровнями дается соотношением (1), приведённым ранее при описании теоретических основ ЯМР. Величина hv равна g$H, где (3 — магнетон Бора, g — постоянная Ланде, или фактор спектроскопического расщепления, который для свободных электронов близок к 2,000. Для углеродных радикалов в конденсированной фазе .^-фактор отклоняется от значения, точно равного 2,000, лишь в третьем десятичном знаке [92]. В случае серусодержащих или кислородных радикалов наблюдаются большие отклонения, и^-факторы имеют значения около 2,025. В газах свободные радикалы могут иметь любое значение g от 0 до 2.[7, С.432]

Спин свободных электронов неспаренный 156[1, С.435]

... отрезано, скачайте архив с полным текстом ! Полный текст статьи здесь